Arbeitskreissprecher

Prof. Dr. Ing. Peter Wellmann
E-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
FAU, Department Werkstoffwissenschaften 6
Martensstr. 7, 91058 Erlangen
Telefon: 09131-85-27635

Arbeitskreistreffen

9.-10. Oktober 2019, Berlin

Immer größere und perfektere Einkristalle für elektronische und optoelektronische Anwendungen erfordern immer detailliertere Kenntnisse über das Kristallwachstum, bessere Züchtungsbedingungen und Anlagen für hochreine Bedingungen.

Folgerichtig beschäftigt sich dieser Arbeitskreis neben den grundlegenden Fragen des Kristallwachstums auch mit der aufwändigen Technologie und deren Weiterentwicklung. Neben den Elementhalbleitern Silizium und Germanium bilden die III-V-Verbindungshalbleiter einen Schwerpunkt.

Aktuell gewinnt die Züchtung von II-VI-Verbindungshalbleiter immer mehr an Bedeutung, insbesondere für Detektoranwendungen. Weiteren Materialien wie z.B. SiC in diesem Arbeitskreis beheimatet. Bei der Charakterisierung der Kristalle stehen die elektronischen Eigenschaften, die Realstruktur mit allen ihren Defekten sowie die Reinheit oder die Homogenität der Dotierung der Kristalle im Vordergrund.